HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

時間：2016-12-28作者：深圳市雅迪斯電子有限公司瀏覽：81

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  詞條說明

• HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

  HGTG5N120BND產品概述 HGTG5N120BND 基于非穿通（NPT）IGBT 設計。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等，而低傳導損耗又至關重要的高壓開關應用，如：UPS、光伏逆變器、電機控制以及電源。 HGTG5N120BND產品特性 10A, 1200V, TC = 110°C 低飽和電壓：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A 典型下降時間。. . . .

• FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N溝道增強型功率MOSFET

  FQB5N90概述 該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產品采用飛兆半導體的專有平面條形和 DMOS 技術生產。 這種先進的 MOSFET 技術已專門定制用來降低導通電阻， 并提供**的開關性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關電源、有源功率因數校正（PFC）及照明燈電子鎮流器。 FQB5N90特性 5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（較大值）@VGS = 10 V, I

• STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管

  STW3N150 型號 STW3N150 品牌 STW3N150 封裝 STW3N150 批號 STW3N150 備注 STW3N150 ST意法 TO-247 2016+ 原裝正品現貨 STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管 STW3N150 N溝道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3針 TO-247封裝 STW3N150

• IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET

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