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5V1.2A小功率適配器芯片方案采用是原邊反饋電源芯片PN8366,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于30mW,是一種高性能的源邊反饋(PSR)和單片開關電源控制器,專為具有電流模式控制的小型電源設備設計,PN8366集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,驪微電子用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源,較大限度
PN8235產品概述:?????PN8235集成**低待機功耗原邊控制器及800V智能高壓啟動模塊,外驅功率DMOS,外部Rg可調。PN8235用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8235為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用多模式技術提高效
N8307H概述:PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系統中替代次級整流肖特基二極管。PN8307H內置電壓降較低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉換效率,使得系統效率可以滿足6級能效的標準,并留有足夠的裕量。PN8307H集成了較為全面的輔助功能,包含輸出欠壓保護、防誤開啟、較小導通時間等功能。?PN8307H產品特征:■
在2019(春季)USB PD&Type-C亞洲大會,芯朋微應用技術總監王曠先生發布了《如何讓PD快充及無線充方案較精簡?》主題演講,并現場發布了一套外圍較簡、較具成本優勢的18W USB PD快充充電器方案PN8161+PN8307H。?18W USB PD充電器方案原邊芯片PN8161采用SOP8封裝,內部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精
公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
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