內置mos同步整流芯片方案

時間：2020-01-05

作者：深圳市驪微電子科技有限公司

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內置mos同步整流芯片方案
PN8306M/H同步整流電源芯片，與PN8370、PN8386配合使用，輕松實現5V2A、5V2.4A、5V3.4A六級能效電源方案。?PN8306M?5v同步整流降壓芯片特性：1、適用于DCM/QR工作模式的反激變換器，效率提高3%以上；2、內置6/14mΩ 55V Trench MOSFET，典型應用5V2.4A/3.4A；/3、Smart控制算法實現零直通炸機風險；4、
PN8386 AC-DC電源芯片
PN8386產品描述：PN8386集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8386為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（264VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲，使得系統滿足6級能效標準，可調輸出線補償功能能使系統獲得較
PN8680M低功耗電源芯片
PN8680M低功耗電源芯片是一款高性能的原邊反饋控制器。PN8680M工作在原邊檢測和調整模式，可省略系統的光耦和TL431。PN8680M低功耗電源芯片擁有恒壓恒流控制環路，可以實現高精度的恒壓、恒流輸出，以滿足大部分充電器和適配器需求。驪微電子12V開關控制芯片PN8680M內置高壓啟動電路和較低的芯片功耗使得系統能夠滿足較高的待機功耗標準。?1.?高壓啟動控制：PN86
同步整流芯片12V3A適配器方案
隨著DoE 六級能效及CoC V5 Tier 2的實施，同步整流取代肖特基已成為大勢所趨，驪微電子推出新一代精簡外圍12V3A六級能效充電器/適配器方案：PN8275+PN8308H外圍外圍BOM降低20%，效率高達87%，滿足六級能效的傳統12V3A六級能效同步整流方案。?六級能效同步整流方案概述：PCBA尺寸：39.0mm*86.0mm輸入電壓：90~265Vac全電壓輸出功率：36