STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU

時(shí)間：2020-01-05作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：334

司坦森集成電路（深圳）有限公司專(zhuān)注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• MOS管STN2610 參數(shù) N60V 50A 應(yīng)用于電子測(cè)量?jī)x器 原廠庫(kù)存足 交貨快

  STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設(shè)計(jì)較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25

• STANSON品牌STC6614 雙溝道NP60V 7A應(yīng)用于風(fēng)扇

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK產(chǎn)品描述STC6614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力,并提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能.該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開(kāi)關(guān)，低的在線(xiàn)功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。參數(shù)N溝道60V /10A，RDS（ON）= 35mΩ（典型值

• STANSON原廠現(xiàn)貨STP4435參數(shù)P30V 10A用于車(chē)燈 可替代Si9804、AO4419

  STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過(guò)程是特別定制，以

• MOS管失效原因是什么？

  MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator） —半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩 端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名**的是消費(fèi)類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)