聚焦離子束FIB在失效分析技術(shù)中的應(yīng)用

時(shí)間：2020-01-05作者：深圳市啟威測(cè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)服務(wù)有限公司瀏覽：58

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 聚焦離子束FIB在失效分析技術(shù)中的應(yīng)用

  什么是聚焦離子束FIB: 聚焦離子束（FIB）技術(shù)類似于聚焦電子束技術(shù)，其主要不同是用離子源代替電子源，用離子光學(xué)系統(tǒng)代替電子光學(xué)系統(tǒng)。FIB系統(tǒng)用鎵或銦作為離子源，在離子束流較小的情況下用作掃描離子顯微鏡，其原理與SEM類似。在離子束流較大的情況下，可局部去除和淀積靶材料，作芯片電路修改和局部剖切面。 聚焦式離子束系統(tǒng)利用靜電透鏡將Ca（鎵）元素離子離子化成Ca+，并將離子束聚焦成非常小的尺寸，

• 失效分析之解剖制樣技術(shù)-芯片開(kāi)封測(cè)試

  解剖制樣技術(shù)的意義？ X 射線透視技術(shù)、掃描聲學(xué)顯微術(shù)等無(wú)損失效分析技術(shù)只能解決有限的失效分析問(wèn)題。對(duì)于大部分失效問(wèn)題，必須采用解剖制樣技術(shù)，實(shí)現(xiàn)芯片表面和內(nèi)部的可視察性和可探測(cè)性。失效分析必須有選擇地進(jìn)行剝層分析，稱為樣品制備過(guò)程。 以失效分析為目的的樣品制備技術(shù)的主要步驟包括：打開(kāi)封裝、去鈍化層。對(duì)于多層結(jié)構(gòu)芯片來(lái)說(shuō)，是需要去層間介質(zhì)。但必須保留金屬化層及金屬化層正下方的介質(zhì)，還需要保留硅材料