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STN454D TO-252 N40V 10A 規格書 中文資料PDF
??溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si
STANSON 原廠STC4614中文資料PDF 數據規格書
STC4614可替代其它:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程,特別是量身定制,以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本
臺產STC4614 NP40V 10A可替代Si4567 AO4614A Si4599DY Si4564DY原廠庫存充足
STANSON 閩臺司坦森原廠直銷供貨,庫存充足,價格優勢,質量保證STC4614可替代其它品牌:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程,特別是量身定制,以盡量
STANSON 貼片MOS STN442D 規格書N60V 37A 應用于按摩椅主板 原廠直銷交貨快
STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用溝槽技術,提供優良的RDS(ON)和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60V / 20.0a,RDS(上)= 24mΩ(典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a,RDS(上)= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度電池設計較低的RDS(on)特殊的阻力和較大直流電流能力TO-2
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯系人: 唐二林
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