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STANSON 原廠STC4614中文資料PDF 數(shù)據(jù)規(guī)格書
STC4614可替代其它:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程,特別是量身定制,以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本
臺灣STANSON原廠現(xiàn)貨STN4438 SOP-8 N60V 8.5A 應(yīng)用于風(fēng)扇
STANSON 原廠STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述STN4438是N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制,以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用,如電源管理和其他高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。特征60V / 8.2A,RDS(ON)= 25毫歐(典型值)@ VGS = 10V60V / 7.6A
一、什么是MOS管?MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,英文名metal oxide semiconductor,屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型,因此,MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管。二、MOS管的構(gòu)造。MOS管這個器件有兩個電極,分別是漏較D和源較S,無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴散工藝制作兩個
STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理,其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 唐二林
電 話: 13168017351
手 機: 13168017351
微 信: 13168017351
地 址: 廣東深圳福田區(qū)福田區(qū)福明路雷圳大廈2605
郵 編:
網(wǎng) 址: stansontech.cn.b2b168.com
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