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詞條說明
可控硅模塊特點1、整流結構**采用**出口變壓器結構設計大大提高了整流效率節約了能源并使整機體積、重量大為減小,可靠性大為提高。2、控制特性良好采用的控制電路與**主流可控硅控制電路可完全互換,該控制電路它具有自動穩壓/穩流、自動電流密度、0-180秒任意調節軟啟動等良好控制功能,并可通過接口實現計算機控制,是目前**的可控硅控制系統。工作穩定、抗干擾能力強、穩流/穩壓精度高、使用壽命長。3、工作
英國西碼WESTCODE可控硅模塊PP601-13 量大從優全新中頻爐晶閘管
品牌WESTCODE規格型號PP601-13編號PP601-13計量單位1個付款方式面議參考價格50價格單位人民幣供貨量不限說明書,報價手冊及驅動暫無其他資料暫無相關產地英國發貨地昆山產品詳情英國西碼WESTCODE可控硅模塊PP601-13? 量大從優全新中頻爐晶閘管銷售部分型號:PP601-226PP601-222PP601-220PP601-218PP601-212PP601-20
二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性,在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電
IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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