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STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程,特別是量身定制,以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路,在高側開關,低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的特征N溝道40V/10.0A,RDS(ON)=?25mΩ(典型值)@?VGS?=?10V4
臺灣STANSON STC4614 NP40V 10A SOP-8原廠直銷
描述stc4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程,特別是量身定制,以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路,在高側開關,低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的特征N溝道40V/10.0A,RDS(ON)= 25mΩ(典型值)@ VGS = 10V40V/6A,RDS(ON)= 32m
司坦森場效應管原廠STN442D?TO-252?參數**0V?37A?24mΩ用于按摩器STN442D可替代型號STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442、描述場效應管STN442D使用溝槽技術,提供優良的RDS(ON)和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60V?/?20.0a,RDS(上)=&
肖特基二極管是以其**肖特基博士研究生(Schottky)取名的,SBD是肖特基能隙二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的通稱。SBD并不是運用P型半導體與N型半導體觸碰產生PN結基本原理制做的,反而是運用金屬材料與半導體材料觸碰產生的金屬材料-半導體材料結基本原理制做的。因而,SBD也稱之為金屬材料-半導體材料(觸碰)二極管或表面能隙二極管,它是一種熱自由電子二極管
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英飛凌IRF7832 N30V 20A替代用閩臺STN4488L N30V 20A
閩臺STANSON STN4438 SOP-8 60V 8.5A 30mΩ
威世SI4436DY **0V 8A用閩臺司坦森STN4438 替代
大中SM6029NSK **0V 5.2A用閩臺STN4438 替代
美國萬代AO4498 N30V 18A替代用閩臺STN4488L N30V 20A
威世SI4162DY N30V 19A替代用閩臺STN4488L N30V 20A
美國萬代AOD609 NP40V 替代用閩臺STC4301D NP40V
新潔能NCE609 NP40V 替代用閩臺STC4301D NP40V