詞條
詞條說(shuō)明
晶閘管(Thyristor)它是晶體閘管的縮寫(xiě),也被稱(chēng)為硅控制整流器;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)有三個(gè)較:陽(yáng)極、陰極和控制較;晶閘管具有硅整流器件的特點(diǎn),可在高壓、大電流條件下工作,工作過(guò)程可控制,廣泛應(yīng)用于可控整流、交流壓力調(diào)節(jié)、無(wú)接觸電子開(kāi)關(guān)、逆變、變頻等電子電路中。晶閘管的工作原理晶閘管在工作過(guò)程中,其陽(yáng)極(A)和陰極(K)晶閘管的主電路與電源和負(fù)載連接,晶閘管的門(mén)較G和陰極K連接到控制
二極管簡(jiǎn)介二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件?。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽(yáng)極和陰極加上正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通。 當(dāng)給陽(yáng)極和陰極加上反向電壓時(shí),二極管截止。 因此,二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的接通與斷開(kāi)?。二極管是較早誕生的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用非常廣泛。特別是在各種電子電路中,利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接,構(gòu)成不同功能的電
IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱(chēng)為源區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為源較(即**較E)。N基較稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為柵較(即門(mén)較G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱(chēng)為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱(chēng)為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有
整流橋故障檢測(cè)方法:(1)如果正極性和負(fù)極性直流輸出電壓都不正常時(shí),可以不必檢查整流二極管,而是檢測(cè)電源變壓器,因?yàn)閹字徽鞫O管同時(shí)出現(xiàn)相同故障的可能性較小。(2)對(duì)于某一組整流電路出現(xiàn)故障時(shí),可按**介紹的故障檢測(cè)方法進(jìn)行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的,進(jìn)行在路檢測(cè)時(shí)會(huì)相互影響,所以準(zhǔn)確的檢測(cè)應(yīng)該將二極管脫開(kāi)電路。整流橋的分類(lèi):整流橋具有體積
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