高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測試？

時間：2020-06-23

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
二極管模塊如何選型？
首先二極管模塊分為：快恢復二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二i極管模塊也叫整流管模塊。快恢復二極管是一種能快速從通態轉變到關態的特殊晶體器件。導通時相當于開關閉合（電路接通），截止時相當于開關打開（電路切斷）。特性：開關速度快，快恢復二極管能夠在導通和截止之間快速轉化提高了器件的使用頻率和改善了波形。快恢復二極管模塊分400V快恢復二極管模塊，600V快恢復二極管模塊，1200V快恢復二極管模塊
可控硅的作用介紹及檢測方法
1. 可控硅的特性。可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1（T1），*二陽極A2（T2）、控制較G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰
晶閘管的工作原理與應用
1 晶閘管(SCR)晶閘管簡稱晶閘管，又稱可控硅整流元件(SCR),是由三個PN一種由結構組成的大功率半導體設備。在性能方面，晶閘管不僅具有單向導電性，而且比硅整流元件具有較有**的可控性。它只有兩種狀態：導電和關閉。晶閘管有許多優點，如：小功率控制大功率，功率放大倍數高達數十萬倍；反應快，微秒內開關；無接觸操作，無火花，無噪音；效率高，成本低。因此，特別是在大功率方面UPS晶閘管廣泛應用于整流電
【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高