熔斷器主要有哪些分類？

時間：2025-08-30作者：上海聚肯電子科技有限公司瀏覽：429

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  詞條說明

• 可控硅壞的原因

  1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制較上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。4、邊緣損壞他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。

• 上海聚肯電子科技有限公司

  上海聚肯電子科技有限公司坐落于美麗的經濟特區----上海，是從事，銷售進口元器件業務，公司主營進口電子元器件為主，主營品牌：ABB,EUPEC（歐派克）,CSR（南車）,WESTCODE（西瑪）,POSEICO,SEMIKRON（西門康）,IXYS（艾賽斯）,IR,CRRC（中車）,SIEMENS（西門子）,DYNEX（丹尼克斯）,PROTON-ELECTROTEX（普拉動），TECHSEM（臺基

• ABB晶閘管5STP33L2800可控硅

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• 如何保護可控硅不被損壞

  1、過電壓保護晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓**過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓**過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及抑制過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起