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原裝正品 MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲存器芯片IC
描述 DDR4sdram是一種高速動態隨機存取存儲器,其內部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預取架構來實現高速操作。8n-預取體系結構與一個接口相結合,該接口被設計用于在輸入/輸出引針的每個時鐘周期上傳輸兩個數據字。 針對DDR4sdram的單個READ或寫入操作包括在內部DRAM核心的單個8n位寬、四時鐘數據傳輸和在I/O針腳的
供應 全新原裝 EM6AA160TSE-5G EM6AA160 內存 閃存芯片
EM6AA160 SDRAM是一種高速CMOS雙數據速率同步DRAM,包含256Mbit。 它在內部配置為一個4米x 16的DRAM,帶有一個同步接口(所有信號都記錄在時鐘信號CK的正邊緣)。 數據輸出發生在CK和CK的上升沿。對SDRAM的讀寫訪問是面向突發的;訪問從選定的位置開始,然后按編程順序繼續訪問編程的多個位置。 訪問首先注冊BankActivate命令,然后是讀或寫命令。EM6AA16
TPS54331設備是一個28V,3-非同步壓力轉換器,集成了一個低RDS(開)高側MOSFET。為了提高光負載下的效率,將將脈沖跳變生態模式功能自動激活。此外,1-μA關機電源電流允許該設備用于電池供電的應用程序。具有內部斜率補償的電流模式控制簡化了外部補償計算,減少了組件計數,同時允許使用陶瓷輸出電容器。一個電阻分壓器編程的輸入低電壓鎖定的遲滯。過電壓瞬態保護電路限制了在啟動和瞬態條件下的電壓
FT24C04A/08A/16A系列是4096/8192/16384位的串行電氣可擦除和可編程只讀存儲器,通常稱為EEPROM。 它們被組織為512/1024/2048個單詞,每個單詞為8位(1字節)。該設備采用專有的先進CMOS工藝制造,用于低功率和低壓應用。 這些設備可提供標準的8鉛DIP、8鉛SOP、8鉛TSSOP、8鉛DFN、8鉛MSOP和5鉛SOT-23/TSOT-23包裝。 一個標準的
公司名: 深圳市南北行電子發展有限公司
聯系人: 周斯琪
電 話: 13844481270
手 機: 13714705290
微 信: 13714705290
地 址: 廣東深圳福田區深圳市福田區深南中路3024號航空大廈2507室
郵 編:
全新原裝 ISL8014AIRZ QFN16 開關穩壓器
NS2009 貼片MSOP10 音頻功放芯片
CH450H SOP-20 LED顯示驅動 數碼管驅動及矩陣鍵盤控制芯片
LP5562TMX/NOPB 絲印D5 封裝DSBGA12 LED驅動器芯片 全新原裝
原裝** LTM4630AIY LTM4630 LTM4630AY BGA-144 DC-DC電源
原裝**MT25QL128ABA1EW9-0SIT RW137 128MB WDFN-8 NOR閃存芯片
原裝** MT40A512M8RH 封裝FBGA-78 儲存器芯片IC
REF195FSZ-REEL 絲印REF195F 封裝 SOIC-8 電壓基準芯片 原裝**
公司名: 深圳市南北行電子發展有限公司
聯系人: 周斯琪
手 機: 13714705290
電 話: 13844481270
地 址: 廣東深圳福田區深圳市福田區深南中路3024號航空大廈2507室
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