整流橋概述

時間：2022-06-22

作者：江蘇芯鉆時代電子科技有限公司

詞條
詞條說明
什么是IGBT
? ? IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙較型晶體管。從功能上來說，IGBT就是一個電路開關，優點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕，它是由計算機控制的。所以有了IGBT這種開關，就可以設計出一類電路，通過計算機控制IGB
可控硅模塊批發如何處理可控硅模塊電流異?，F象
可控硅模塊批發如何處理可控硅模塊電流異?，F象在實際應用中，可控硅模塊中不一定總是有直流偏置電壓。非極性鉭電容器也可以制造，但價格昂貴，儲存后可能無法使用。如果兩個相同的可控硅模塊背靠背連接，則可以獲得非極性電容?？傠娙轂槊總€串聯電容的一半，即C/2。在連接電源的瞬間，萬用表的表針應具有較大的擺動幅度?？煽毓枘K的容量越大，表針的擺動幅度越大。擺動后，表針可逐漸返回到零位。如果可控硅模塊的指針在電
整流橋分類
? ? ? ?整流橋具有體積小,使用方便等特點,在家用電器和工業電子電路中應用非常廣泛.常用的小功率整流橋有全橋和半橋之分.全橋是將四只硅整流二極管接成橋路的形式, 常見的型號有 QL52~QL61 系列,PM104M 和 BR300 系列等.半橋有三種結構:一種是將兩只二較管順向串聯,在結點處引出一電極(如 2CQ1 型),另一種是將兩只二極管背靠
igbt模塊使用中的注意事項
igbt模塊使用中的注意事項由于IG模塊為MOSFET結構，IG的柵較通過一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20~30V。因此，IG失效的常見原因之一是靜電導致柵較擊穿。因此，在使用中應注意以下幾點：使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子。當需要觸摸模塊端子時，在觸摸之前，用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電；使用導電材料連接模塊驅動端子時，請勿在接線前連接模塊；igbt模塊