焊接二極管時需要注意什么

時間：2025-08-19作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：2005

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• 詞條

  詞條說明

• 上海英飛凌IGBT模塊

  ## IGBT模塊：電力電子領(lǐng)域的"心臟"在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，IGBT模塊扮演著舉足輕重的角色。這種絕緣柵雙極型晶體管，集成了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降特性，成為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的核心元件。IGBT模塊最顯著的特點是它的開關(guān)特性。它能實現(xiàn)高速開關(guān)動作，同時保持較低的導(dǎo)通損耗。這種特性使得它在變頻器、逆變器等需要頻繁開關(guān)的場合表現(xiàn)優(yōu)異。模塊化設(shè)計讓IGBT可以承受更高的電壓和電流，

• 可控硅的作用介紹及檢測方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A

• 英飛凌IGBT模塊系列簡介

  英飛凌IGBT模塊系列簡介HybridPACK/DSC系列:這個應(yīng)該是可用于雙面水冷方案的獨立封裝成型的單個IGBT模塊，也可用于普通的pinfin或者獨立冷卻水道的冷卻方案，電壓范圍Vces最大達到750V，屬于市場主流的電壓級別，但是電流能力略低，不過可以采用多模塊并聯(lián)的方案來提升總體性能；HybridPack/1&DC6系列：基于UVW三相全橋的整體式封裝方案，E3的芯片屬于老一代的

• 【進口吸收電容】薄膜電容的吸收系數(shù)

  薄膜電容器是一種以金屬箔當電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而聚丙烯的薄膜電容它吸收系數(shù)很小，容量及損耗角正切tg σ隨溫度變化很小，介電強度隨溫度上升有所增加，這是他的一種特點，這是其他電容器難以擁有的。那什么是它的吸收系數(shù)呢？這是用來形容薄膜電容器電介質(zhì)吸收現(xiàn)象的數(shù)值，我們稱之為吸收系數(shù)，這是和電介質(zhì)、電介質(zhì)的極化和電容器的吸收