二極管和發(fā)光二極管的區(qū)別

時(shí)間：2022-09-24作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：242

上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司專(zhuān)注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 熔斷器的使用注意事項(xiàng)

  (1) 熔斷器使用注意事項(xiàng)：①熔斷器的保護(hù)特性應(yīng)與被保護(hù)對(duì)象的過(guò)載特性相適應(yīng)，考慮到可能出現(xiàn)的短路電流，選用相應(yīng)分?jǐn)嗄芰Φ娜蹟嗥鳌＂谌蹟嗥鞯念~定電壓要適應(yīng)線路電壓等級(jí)，熔斷器的額定電流要大于或等于熔體額定電流。③線路中各級(jí)熔斷器熔體額定電流要相應(yīng)配合，保持**級(jí)熔體額定電流必須大于下一級(jí)熔體額定電流。④熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體，不允許隨意加大熔體或用其他導(dǎo)體代替熔體。(2) 熔斷器巡視

• 熔斷器的工作原理

  利用金屬導(dǎo)體作為熔體串聯(lián)于電路中，當(dāng)過(guò)載或短路電流通過(guò)熔體時(shí)，因其自身發(fā)熱而熔斷，從而分?jǐn)嚯娐返囊环N電器。熔斷器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，廣泛用于電力系統(tǒng)、各種電工設(shè)備和家用電器中作為保護(hù)器件。

• IGBT模塊使用中的注意事項(xiàng)？

  由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵較通過(guò)一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵較擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模

• igbt功率模塊雙向可控硅BSM100GB60DLC 快速晶閘管

  igbt功率模塊雙向可控硅BSM100GB60DLC 快速晶閘管?