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IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙較型晶體管)的縮寫,IG是由MOSFET和雙較型晶體管復合而成的一種器件,其輸入較為MOSFET,輸出較為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內,
1、根據線路要求和安裝條件選擇熔斷器的型號。容量小的電路選擇半封閉式或無填料封閉式;短路電流大的選擇有填料封閉式;半導體元件保護選擇快速熔斷器。2、根據負載特性選擇熔斷器的額定電流。3、選擇各級熔體需相互配合,后一級要比**級小,總閘和各分支線路上電流不一樣,選擇熔絲也不一樣。4、根據線路電壓選擇熔斷器的額定電壓。5、交流異步電機保護熔體電流不能選擇太小(建議2~2.5倍電機的額定電流)。如選擇過
利用金屬導體作為熔體串聯于電路中,當過載或短路電流通過熔體時,因其自身發熱而熔斷,從而分斷電路的一種電器。熔斷器結構簡單,使用方便,廣泛用于電力系統、各種電工設備和家用電器中作為保護器件。
二極管,電子元件當中,一種具有兩個電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流”功能。二極管較普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓),反向時阻斷(稱為逆向偏壓)。因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。
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