國芯思辰｜一體化數(shù)字相機存儲采用拍字節(jié)FRAM PB85RS128C，百萬次擦寫次數(shù)?

時間：2022-11-09

作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司

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國芯思辰｜可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管：基本半導體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設計
在1KW PFC電源設計中，功率因數(shù)校正部分市場上主流的器件方案為Si MOS管：Q1\Q2、續(xù)流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成，為后級提供穩(wěn)定的直流電源。在PFC功率因數(shù)校正方面如果對系統(tǒng)效率要求不高的情況下，可使用Si快速恢復二極管（FRD）；然而在一些要求效率較高的場合，如5G通信電源，電摩充電器電源中的運用需要較高的效率。本文重點提到國產基本半導體650V/10A碳化硅肖特基二較
國芯思辰｜基本半導體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發(fā)電機，工作結溫-55~175℃
氫能發(fā)電機特指以氫氣為原料的發(fā)電機，原理類似傳統(tǒng)內燃機，經(jīng)過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程，帶動電機產生電流輸出。氫能發(fā)電機是一種環(huán)保型的發(fā)電設備，具有無噪音、零排放和移動性強的特點。其效率要求也非常高，但傳統(tǒng)的功率MOS已經(jīng)很難滿足發(fā)電機高開關頻率的要求，而碳化硅MOS則可以很好的滿足這一應用。某氫能發(fā)電機項目現(xiàn)需要一漏源電壓1200V，電流80A以上的碳化硅MOS。可采用基本半導體的B1M0321
國芯思辰|瞬態(tài)抑制二極管（TVS）P6KE系列可替換進口型號應用于I/O接口的防護
I/O接口的應用非常廣泛且品類繁多，其相應的接口電路也各不相同，很容易受到外界因素影響導致電壓過高損壞電子元器件，為了應對過壓情形的發(fā)生，減輕過壓事件的影響，國芯思辰某工程師較終選擇了里陽半導體的P6KE系列瞬態(tài)抑制二極管來保護I/O接口免受過電壓造成的損壞，且此方案非常有效并易于實現(xiàn)。?TVS 工作電路里陽半導體TVS二極管P6KE系列是專為保護敏感的電子設備免受瞬態(tài)電壓事引起的電壓
國芯思辰｜地芯科技14位模數(shù)轉換器SX2175兼容LTC2175應用于局放檢測設備，轉換速率高達125MSPS?
局放檢測裝置是用來監(jiān)測分析配電設備柜內局部放電信號的在線監(jiān)測裝置，對配電設備的各種類型局部放電、電纜溫度等參數(shù)進行測量分析，能及時發(fā)現(xiàn)并處理絕緣隱患，保證配電系統(tǒng)的安全運行。設備通過ADC實時采集局部放電信號，對數(shù)據(jù)采集的速度要求比較高，某工程師要求模數(shù)轉換速率在100MSPS以上，簡單的采集部分框圖如下：這里提到地芯科技的SX2175，SX2175是4通道，同時采樣14位 A/D轉化器，專為高頻