詞條
詞條說明
常規的CMOS結構中,電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結構。當SCR被觸發時,電源到地之間存在低阻通道,引起較大電流,破壞電路工作甚至燒毀電路,這就是閂鎖效應 (Latch-up)。為避免閂鎖效應,早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術制作CMOS電路,即在藍寶石絕緣襯底上外延硅,之后制作器件,這就有效的避免MOS管的源、漏區和襯底之間形成PN結。但是,藍寶石價格昂
用通過設置CMOS密碼的確可以達到保護計算機的目的。但是如果用戶忘記了已設置的CMOS密碼,那么對于用戶而言同樣會面對無法進入系統或無法進入 BIOS設置程序的境地,這時該怎么辦呢,這里向大家介紹幾種常用的pojieCMOS密碼的方式:DE漏洞法、COPY法、CMOS放電法、跳線短接法以及概念硬件配置法.一、DE漏洞法CMOS數據的訪問是通過兩個I/O端口來實現的.端口70H是一個節的地址端口,用
中國攝像頭CMOS需求潛力旺盛CCD和CMOS在制造上的主要區別是CCD是集bai成在半導體單晶材料上du,而CMOS是集成zhi在被稱做金屬氧化物的半導體材料dao上,工作原理沒有本質的區別。CCD只有少數幾個廠商例如索尼、松下等掌握這種技術。而且CCD制造工藝較復雜,采用CCD的攝像頭價格都會相對比較貴。事實上經過技術改造,目前CCD和CMOS的實際效果的差距已經減小了不少。而且CMOS的制造
1 MEMS 比 CMOS 的復雜之處MEMS 與 CMOS的根本區別在于:MEMS 是帶活動部件的三維器件,CMOS 是二維器件。因此,雖然許多刻蝕和沉積工藝相似,但某些工藝是 MEMS *有的,例如失效機理。舉個例子,由于 CMOS 器件沒有活動部件,因此不需要釋放工藝。正因為如此,當活動部件“粘”在表面上,導致設備故障時,就會產生靜摩擦,CMOS 沒有這種問題。CMOS 器件是在硅材料上逐層
公司名: 深圳海木芯科技有限公司
聯系人: 張小姐
電 話:
手 機: 13760268219
微 信: 13760268219
地 址: 廣東深圳南山區大沖一路華潤置地E座33樓B
郵 編: 0
星火滑雪場計費軟件丨滑雪場電子門票管理系統丨滑雪場收銀會員系統
¥2988.00
¥88888.00