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封裝外周圍元器件少的芯片,可采用大輸出電容啟動芯片,OC5864
OC5864是一款具有許多特性的芯片。它是一款內置功率MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器,能在寬輸入電源范圍內實現穩定的峰值輸出電流,并具有出色的線電壓和負載調整率。此外,OC5864還集成了包括逐周期電流限制和熱關斷等保護功能,確保了芯片的穩定性和性。 值得一提的是,OC5864的外圍元器件相對較少,這使得它在封裝和布局上為簡潔,有助于減少整體電路的復雜性和提高性。同時,該芯片還支持采用大輸
磁吸軌道燈方案芯片OC5268,兼容PWM和模擬調光,可替代FP7122/7127
磁吸軌道燈方案芯片OC5268是一款兼容PWM和模擬調光的解決方案,可以替代FP7122/7127芯片。以下是對OC5268的介紹和優點的簡要概述:主要特性:1. 兼容PWM和模擬調光,提供多種調光模式和精度,滿足不同場景需求。2. 集成度較高,可簡化電路設計,降低成本和功耗。3. 具備過溫保護功能,提高系統可靠性。OC5268的優點:1. 高性能:OC5268芯片具有較高的PWM頻率和調光精度,
ZigBee模塊降壓芯片,bluetooth藍牙連接器模塊降壓芯片,OC58658
OC58658是一款適用于ZigBee模塊和Bluetooth藍牙連接器模塊的降壓芯片。它具備多項優異特性,能夠確保模塊的穩定運行和高效性能。 首先,OC58658具有低待機功耗的特性,這有助于延長模塊的使用壽命,特別是在低功耗應用中。同時,其高效率特性確保了能量的有效利用,減少了能量浪費。 其次,OC58658的低紋波特性確保了輸出電壓的穩定性,從而提高了模塊的工作性能。此外,它還具有優異的母線
240W氮化鎵和PD快充氮化鎵是兩種具有*特優勢的充電技術,它們在電子設備充電領域發揮著重要作用。 首先,氮化鎵(GaN)是一種新型半導體材料,具有高效率、小尺寸、高頻特性和熱穩定性等特點。氮化鎵充電器通過降低電路內部的電阻和損耗,提高轉換效率和功率密度,從而實現較快的充電速度和較高的充電效率。 對于240W氮化鎵充電器,其功率較高,意味著它可以為設備提供較強大的充電能力。這種充電器適用于需要快速
公司名: 久宇盛電子(深圳)有限公司
聯系人: 周敏
電 話:
手 機: 13318386410
微 信: 13318386410
地 址: 廣東佛山南海區深圳市龍崗區南灣街道寶丹路18號彩鳳工業園A棟5樓之一
郵 編:
網 址: jys888.b2b168.com
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