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?氮化鎵是一種半導體材料,近年來在快充領域得到了廣泛的應用。與傳統的硅基半導體材料相比,氮化鎵具有高的電子遷移率和低的電阻,這使得它能夠承受高的電流密度和電壓,從而實現快的充電速度。 現在,我們來看看你提到的兩種快充技術:1. 100w氮化鎵快充: 這種快充技術采用了氮化鎵材料,能夠提供高達100瓦的充電功率。這意味著它能夠快速地為設備充電,縮短充電時間。相比傳統的快充技術,100w氮化
OC5138是一款具有*特設計特點的芯片,它集成了散熱片內置接SW腳和內置90VMOS等重要功能。散熱片內置接SW腳的設計可以有效提高芯片的散熱性能,確保在高負載工作時能夠穩定、高效地運行。而內置90VMOS則使得OC5138具備出色的電壓承受能力和電流驅動能力,適用于各種高功率應用場景。 OC5138作為一款開關降壓型大功率LED恒流驅動芯片,在照明、顯示等領域有著廣泛的應用。它支持寬范圍的輸入
舞臺燈電源方案OC5221?5A100V共陽高輝度調光降壓恒流芯片
OC5221是一款專為LED照明應用設計的恒流驅動芯片,具有高精度、高效率、高可靠性的特點。這款芯片能夠在寬電壓范圍內提供穩定的電流輸出,非常適合用于舞臺燈這類需要高輝度和調光功能的LED燈具。在設計舞臺燈電源方案時,使用OC5221芯片可以確保LED燈具在各種工作狀態下都能獲得穩定的電流供應,從而保證燈具的亮度、色彩和壽命。同時,OC5221的調光功能可以實現舞臺燈光效果的精細控制,滿足演出、活
方案CR3215A中的內置650V高雪崩能力功率MOS是一種高性能的電子元件,具有以下特點:* 650V高電壓,可以承受較高的電壓,因此具有較高的功率輸出能力。* 內置高雪崩能力,可以承受較高的電流,并且在發生雪崩時不會損壞,提高了電路的穩定性和可靠性。* 內置MOS的開關速度非常快,可以實現高效率的轉換,減少了能量損失,因此是一種理想的功率半導體器件。該MOS還具有體積小、耐高溫、可靠性高等優點
公司名: 久宇盛電子(深圳)有限公司
聯系人: 周敏
電 話:
手 機: 13318386410
微 信: 13318386410
地 址: 廣東佛山南海區深圳市龍崗區南灣街道寶丹路18號彩鳳工業園A棟5樓之一
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網 址: jys888.b2b168.com
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