英飛凌IGBT模塊檢測方法

時間：2021-04-16

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性
IGBT工作特性靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反
整流橋模塊的作用是什么
整流橋模塊的作用是什么：整流橋模塊的功能，是將由交流配電單元提供的交流電，變換成48V或者24V直流電輸出到直流配電單元。采用諧振電壓型雙環控制的諧振開關電源技術，具有穩壓精度高、動態響應快的特點。整流模塊內置MCU，全智能控制，可實現單機或多機并聯運行。模塊可以帶電熱插拔，日常維護方便快捷。采用多級吸收，具有過壓、欠壓、短路、過流、過熱等自動保護及自動恢復運行功能。散熱條件的好壞，直接影響模塊的
【可控硅模塊】可控硅模塊分類
可控硅模塊分類可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘
晶閘管工作原理_晶閘管和可控硅的區別
晶閘管（Thyristor）它是晶體閘管的縮寫，也被稱為硅控制整流器；晶閘管是PNPN四層半導體結構有三個較：陽極、陰極和控制較；晶閘管具有硅整流器件的特點，可在高壓、大電流條件下工作，工作過程可控制，廣泛應用于可控整流、交流壓力調節、無接觸電子開關、逆變、變頻等電子電路中。晶閘管的工作原理晶閘管在工作過程中，其陽極（A）和陰極（K）晶閘管的主電路與電源和負載連接，晶閘管的門較G和陰極K連接到控制