供應(yīng)原裝芯片IC AD8629ARZ SOIC-8 零漂移單電源軌到軌運(yùn)算放

時(shí)間：2021-08-19作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：86

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 74HC04D SN74HC04DR SOP-14 六反相驅(qū)動(dòng)器

  74HC/HCT04是高速硅門(mén)CMOS設(shè)備，其銷與低功率肖特基TTL(LSTTL)兼容。它們是按照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn)no。7A.74HC/HCT04提供了6個(gè)倒置緩沖區(qū)。 特征 ?符合JEDEC第8-1A號(hào)標(biāo)準(zhǔn) ?ESD保護(hù)： HBM EIA/JESD22-A114-A超過(guò)2000 V MM EIA/JESD22-A115-A超過(guò)200 V。 ?指定自?40至+85°C和?40至+125°C。 74H

• 原裝正品 MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲(chǔ)存器芯片IC

  描述 DDR4sdram是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其內(nèi)部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預(yù)取架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)高速操作。8n-預(yù)取體系結(jié)構(gòu)與一個(gè)接口相結(jié)合，該接口被設(shè)計(jì)用于在輸入/輸出引針的每個(gè)時(shí)鐘周期上傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。 針對(duì)DDR4sdram的單個(gè)READ或?qū)懭氩僮靼ㄔ趦?nèi)部DRAM核心的單個(gè)8n位寬、四時(shí)鐘數(shù)據(jù)傳輸和在I/O針腳的

• 穩(wěn)壓三極管 TL431A TL431 TL431AA 直插TO-92 國(guó)產(chǎn)/原裝

  TL431是一個(gè)三端可調(diào)分流調(diào)節(jié)器，提供良好的溫度穩(wěn)定性。該裝置的典型動(dòng)態(tài)輸出阻抗為0.2Ω。該設(shè)備在許多應(yīng)用中都可以作為齊納二極管的替代品。 TL431 規(guī)格信息： 商品類型電壓基準(zhǔn)芯片 輸出電壓（最小值/固定）2.5V 輸出電流100mA 輸出電壓（最大值）36V 輸入電壓- 電源電流- 輸出類型可調(diào)式 工作溫度0°C ~ 70°C(TA) 溫度系數(shù)50ppm/°C 陰極電流1mA 精度±0.

• 4924 4916 4906 4900 4922 4914 4946場(chǎng)效應(yīng)mos管芯片AO4948 AO4932

  AO4932 規(guī)格信息： 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 家庭：FET - 陣列 系列：SRFET?? 包裝：帶卷（TR） FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能：邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）：30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11A，8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12.5 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs