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方法一:可控硅模塊測量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時,就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時.就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如
點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小,不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓,但它的高頻性能好,適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結接觸面積大,可以通過較大的電流,也能承受較高的反向電壓,適宜在整流電路中使用。平面型二極管平面型二極管在脈沖數字電路中作開關管使用時PN結面積小,用于大功率整流時PN結面積較大。穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅
二極管檢測方法小功率晶體二極管1. 判別正、負電極(1)觀察外殼上的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號,帶有三角形箭頭的一端為正極,另一端是負極。??(2)觀察外殼上的色點。在點接觸二極管的外殼上,通常標有極性色點(白色或紅色)。一般標有色點的一端即為正極。還有的二極管上標有色環(huán),帶色環(huán)的一端則為負極。?(3)以阻值較小的一次測量為準,黑表筆所接的一端為正
IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區(qū),則正反
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