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二者都是反向恢復很快的二極管,主要區別是功率、速度和封裝不同快恢復二極管一般指電流、電壓、功率比較小的單管,一般電流幾個安培以內,電壓最高1000多V,但是反向恢復素的很快,只有幾個ns至幾十個ns,用在小功率開關電源做輸出整流,或需要頻繁開關的場合,器封裝一般是塑封、玻璃封裝、陶瓷封裝等,很小,例如UF4007快恢復二極管模塊指封裝成模塊的二極管,功率較大,幾十、幾百安培,主要用于整流,在大功率
一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源極(即發射極E)。N基極稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(包括P+和P-區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannel region)。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區(Drain injector),它是IGBT特有的功能區
# 整流橋的核心技術與應用價值整流橋作為電力電子領域的基礎元件,在各類電氣設備中扮演著至關重要的角色。其核心功能是將交流電轉換為直流電,為后續電路提供穩定的電源。現代整流橋技術已經發展出多種類型,每種都有其特定的應用場景和性能特點。高效能整流橋采用先進的半導體材料,具有極低的正向壓降和反向漏電流。這種設計顯著降低了能量損耗,提升了整體轉換效率。在高溫環境下,優質整流橋依然能夠保持穩定的工作狀態,這
富士IGBT模塊概述富士IGBT模塊作為電力電子領域的核心功率器件,由全球知名半導體制造商富士電機傾力打造,憑借其卓越的性能和可靠性,已成為工業自動化、新能源發電、軌道交通等領域的首選產品。作為一家專業代理國際知名功率器件的企業,我們深知富士IGBT模塊在客戶項目中的關鍵作用,因此特別整理了這份選型指南,幫助蘇州及周邊地區的客戶更高效地選擇適合自身需求的富士IGBT模塊。富士IGBT模塊的技術優
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
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