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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優
無感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類器件。采用電極板的特殊繞法,表現出的電感很小,適合在高頻電路使用。用途:主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機、逆變電源以及感應加熱設備等其他電力電子設備,IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無感吸收電熔 其實是無感吸收電熔的一個統稱吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),消除由于母排的
德國英飛凌IGBT模塊是一種高效、高功率密度的半導體模塊,廣泛應用于各種電力電子應用領域,如電動汽車、風力發電、工業驅動等。首先,英飛凌IGBT模塊采用了先進的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)技術。這是一種特殊類型的功率半導體器件,具有較高的開關頻率和功率轉換效率。因此,英飛凌IGBT模塊在高頻、高效和快速開關方面具有顯著優勢,使其在各種電力電子應用中成為理想選擇。其次,英飛凌IGBT模塊采用了先進
熔斷器(fuse)是指當電流超過規定值時,以本身產生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后,以其自身產生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應用于高低壓配電系統和控制系統以及用電設備中,作為短路和過電流的保護器,是應用最普遍的保護器件之一。熔斷器常見種類插入式熔斷器:它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
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