HVA 真空閥門應(yīng)用于E-Beam鍍膜機(jī)

時(shí)間：2024-01-11作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：88

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

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• 氦質(zhì)譜檢漏儀熱交換器檢漏

  氦質(zhì)譜檢漏儀熱交換器檢漏上海伯東德國(guó) Pfeiffer 某客戶需要對(duì)體積 >1000L 的熱交換器進(jìn)行檢漏, 熱交換器內(nèi)部管子細(xì)長(zhǎng), 流導(dǎo)小, 需要盡可能的快速測(cè)試并要求清潔無(wú)油, 真空模式下, 熱交換器漏率要求 1x10-6 mbar l/s. 為了快速抽空, 選用輔助泵 + 氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 390, 實(shí)現(xiàn)快速檢漏！熱交換器檢漏方法：配置: ASM 380 (新款 ASM 390)

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

  立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導(dǎo)體等特點(diǎn), 在切削工具/ 材料/ 光學(xué)元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應(yīng)用潛力.?在對(duì)立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用

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  氦質(zhì)譜檢漏儀?CVD 設(shè)備檢漏, 滿足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)上海伯東某客戶是一家以**化合物半導(dǎo)體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, **產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導(dǎo)體芯片. 芯片在生產(chǎn)過(guò)程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過(guò)程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過(guò) 1E-10 mbrl l/s.CVD?設(shè)備檢漏要