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MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導體的場效應晶體管),屬于絕緣柵型。在金屬柵與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(高可達1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源S接在一起。?MOS場效應管檢
MBR10200:超高效能電子元件技術解析隨著科技的飛速發展,電子元件技術也在不斷進步。MBR10200是一種新型的超高效能電子元件,它的出現為電子行業帶來了革命性的改變。本文將對MBR10200的技術特點、優勢和應用領域進行解析。一、技術特點MBR10200具有高效能、高穩定性、低功耗、低發熱量等顯著特點。其內部結構采用了創新的復合材料,具有優異的導電性能和穩定性,使得元件在運行過程中能夠保持高
傳言已久的六級能效定于2016年正式實施,這對于電源生產廠家既是挑戰也是機會,相信很多廠家已開始對舊產品進行升級換代。六級能效要求很高,0-50W以下功率電源要求待機功耗小于100mW,?甚至有廠家開始從事“零功耗”產品的研發。六級能效標準主要針對外置電源產品。隨著人們節能環保意識的增強,對外置電源(如電流適配器、開關電源、充電器等)要求越來越高,國內在2016年正式推出六級能效標準,
現貨庫存CR6855 SOT23-6 芯片設計方[啟達]本文主要介紹了CR6855/CR6855L的特征和詳細的工作原理,描述了一種采用CR6855/CR6855L的反激式隔離 AC-DC 開關電源的簡單而的設計方法。CR6855/CR6855L是用于60W以內離線式開關電源IC,該IC具有優化的圖騰驅動電路以及電流模式 PWM 控制器。PWM 控制器包含 65KHz 固定的頻率振蕩發生器以及
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