敲黑板！！內(nèi)置三管的集成電路和內(nèi)置MOS管的集成電路區(qū)別！！

時(shí)間：2021-11-23作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：309

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 肖特基二管的優(yōu)缺點(diǎn)

  肖特基二管的優(yōu)勢(shì)SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面：1）由于肖特基勢(shì)壘高度PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ê驼驂航刀急萈N結(jié)二管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，不同于PN結(jié)二管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開(kāi)關(guān)速度非常快，開(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。肖特基二管

• CR6339原邊電源IC參數(shù)有哪些？

  主要特點(diǎn)? 恒壓和恒流控制? 全電壓輸出電壓精度可達(dá)±5%? 內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源??內(nèi)置高壓?MOSFET? 原邊控制模式，無(wú)需?TL431?和光耦? 非連續(xù)模式下的反激拓?fù)? 具有軟啟動(dòng)功能? 頻率抖動(dòng)? 恒流和輸出功率可調(diào)? 內(nèi)置次級(jí)電壓采樣控制器? 可調(diào)式線損補(bǔ)償? 欠壓鎖定? 逐周期電流限制? 峰值電流限制? 過(guò)溫保護(hù)? 過(guò)壓保護(hù)和電源箝位? 內(nèi)置消隱?

• CR6520A低成本恒流芯片：革新科技，提升性能

  CR6520A低成本恒流芯片：革新科技，提升性能隨著科技的發(fā)展，恒流芯片的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。CR6520A低成本恒流芯片以其獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，為市場(chǎng)帶來(lái)了革新性的改變。CR6520A是一款低成本、高效率的恒流芯片，它采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，具有高精度、高穩(wěn)定性和高可靠性的特點(diǎn)。該芯片的核心部分是一個(gè)精密的電流控制環(huán)路，能夠自動(dòng)調(diào)整輸出電流，確保輸出電流的穩(wěn)定，不受負(fù)載變化和環(huán)境溫度的影響。此外，CR6

• 低壓mos管的正確選型？

  MOS管的選型是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本，同時(shí)也會(huì)給工程師帶來(lái)諸多麻煩，下面就跟著銀聯(lián)寶科技一起來(lái)學(xué)習(xí)下MOS管正確的選擇方法吧！一步：選用N溝道還是P溝道為設(shè)計(jì)選擇正確器件的一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，這是出于