靈動微可替換意法半導體MCU

時間：2020-01-07

作者：深圳市英尚微電子有限公司

詞條
詞條說明
Everspin Serial MRAM存儲芯片MR20H40CDF
Everspin在磁存儲器設計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是*一**的。擁有**過600多項有效**和申請的知識產權產品組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場良好地位。英尚微電子作為everspin的**代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數據存儲.沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。產品描述 MR20H4
MRAM在哪方面適合物聯網
“事物”是指可以通過傳感器讀取或通過電子方式確定和控制其狀態的任何事物。通過互聯網，物聯網將能夠彼此通信并做出決策，而*人工干預。物聯網的概念意味著將對象或機器連接到互聯網，以便可以收集，共享和完善數據以支持較高的人類生活質量。可以從云中存儲和訪問應用程序和數據。人，應用程序或其他機器做出的決策可以作為控制事物的命令發布。 MRAM在哪里適合物聯網？作為快速寫入的非易失性存儲器，MRAM
醫療應用中的Everspin MRAM
Everspin擁有包括40nm，28nm及較高技術節點在內的**技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產。Everspin生產基于180nm，130nm和90nm工藝技術節點的MRAM產品。產品包裝和測試業務遍及中國，閩臺和其他亞洲國家。Everspin深圳總代理英尚微電子已交付大量的MRAM芯片供給各行業領域范圍。日本Nikkiso是工業，航空航天和
VTI一級代理商
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品，作為靜態隨機訪問存儲器的一種類別，靜態隨機訪問存儲器（SRAM）作為較重要的半導體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲器占據芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設計變得越來越重要。 Density Org. P/N Vcc(V) Speed(ns) C/S