電漿清洗機氫去除SiC表面污染物C和O

時間：2023-02-14作者：深圳子柒科技有限公司瀏覽：89

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• 電漿清洗機氫去除SiC表面污染物C和O

  SiC該材料是三代半導體材質，具有高臨界擊穿電場、高導熱性、高載流子飽和漂移速度等特點。它是**半導體功率器件的*方向，在高壓、高溫、高頻、抗輻射半導體器件低損耗的優良性能，是**半導體功率器件的*。? ? ? ??但經傳統濕法處理后的SiC表面存在著殘留有C雜質和表面容易被氧化等缺點，使得在SiC上不容易形成優良的歐姆接觸和低界面態的MOS結

• 等離子處理機清洗后鋁片黏附與改性前降低了黏附

  ?等離子處理機誘導產生的活性種(例如自由基等)，提供了表面二(乙二醇)甲醚分子碎片再次相結合做好反應的機制。自由基落入成的分子網絡中，可觸發劇烈的電子激發原位氧化反應。?對等離子處理機處理后的鋁片分子層構造做ATR-FTIR剖析，在1583.07cm處有個較強的吸收峰，這也是PEG構造中C-O鍵的特征吸收峰，表明沉積的表面層是類PEG構造。1780.21cm處的吸收峰，說明有C

• 等離子體CMOS工藝中應用于集成電路制造中WAT方法研究

  WAT(Wafer Accept Test)即硅圓片接收測試，就是在半導體硅片完成所有的制程工藝后，對硅圓片上的各種測試結構進行電性測試，它是反映產品質量的一種手段，是產品入庫前進行的一道質量檢驗。? ? ? ??伴隨著半導體技術的發展，等離子體工藝已廣泛應用于集成電路制造中，離子注入、干法刻蝕、干法去膠、UV輻射、薄膜淀積等都可能會引入等離子體損

• ?plasma等離子體能量密度對H2氣氛下C2H6脫氫反應的影響

  ?plasma等離子體能量密度為860 kJ/mol時，H2添加量對C2H6脫氫反應的影響：隨著H2濃度增加，C2H6轉化率，C2H2、C2H4和CH4收率均有所增加，這表明H2的加入有利于C2H6轉化及C2H2、C2H4和CH4生成。產生上述結果的可能原因是：一方面氫氣因其導熱性好，可大量傳遞熱量，在乙烷plasma等離子體中起稀釋氣體作用;另一方面氫氣的H-H鍵斷裂能為4.48eV，