詞條
詞條說(shuō)明
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一
三菱IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。三菱IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通
IGBT的作用 IGBT是一種功率晶體管,運(yùn)用此種晶體設(shè)計(jì)之UPS可有效提升產(chǎn)品效能,使電源品質(zhì)好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長(zhǎng)等多種優(yōu)點(diǎn)。 IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽(yáng)極,和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時(shí)候存在很小的電阻,通過(guò)接通或斷開(kāi)控制極來(lái)控制陰極和陽(yáng)極之間的接通和關(guān)斷。 IGBT選型四個(gè)基本
【回收富士IGBT】進(jìn)口的IGBT模塊和國(guó)產(chǎn)的模塊的區(qū)別
你知道進(jìn)口的IGBT模塊和國(guó)產(chǎn)的模塊的區(qū)別是什么嗎?那么跟一起來(lái)看看!1.進(jìn)口IGBT模塊和國(guó)產(chǎn)模塊價(jià)格相差很大。IGBT模塊是很多電子工業(yè)器件的核心元件,IGBT模塊通過(guò)控制器件內(nèi)部的電流來(lái)調(diào)節(jié)設(shè)備的功能,模塊對(duì)設(shè)備的作用相當(dāng)于人體的心臟。例如電磁爐的高頻率產(chǎn)生就源自IGBT模塊(一秒鐘要震動(dòng)幾十萬(wàn)次,最累的就是IGBT模塊了)。IGBT模塊也是商用電磁爐最貴的元器件之一。品牌產(chǎn)地不同模塊的價(jià)格
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