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STP413D P40V 12A用于掃地機 可替代AOD413A、UT5504、UTD413
STP413D TO-252 P40V 12A替代UT5504、UTD413閩臺司坦森原廠直銷描述STP413D是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度,DMOS器件溝道技術。的stp413d已特別設計,以提高直流/直流轉換器的整體效率,無論是使用同步或傳統的開關型脈寬調制控制器。它已被優化為低柵電荷,低的RDS(on)和快速開關速度。特征-40V / -12.0a,RDS(上)= 36mΩ
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator) —半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩 端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面,排名**的是消費類電子電源適配器產
STANSON原廠STP9527規格 P40V 10A 40mΩ SOP-8應用于汽車燈按摩器主板
STP9527替代AO4443、AO4485、Si4447ADY描述stp9527是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度,DMOS器件溝道技術。這種高密度工藝特別適合于較小化狀態電阻。這些器件特別適合于低電壓應用,noteook電源管理和**電池供電的電路中的高側開關。特征- 40V / -10.0a,RDS(上)= 32ma(典型值)@ VGS = -10V- 40V / -8.0a,R
STANSON 貼片MOS STN442D 規格書N60V 37A 應用于按摩椅主板 原廠直銷交貨快
STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用溝槽技術,提供優良的RDS(ON)和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60V / 20.0a,RDS(上)= 24mΩ(典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a,RDS(上)= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度電池設計較低的RDS(on)特殊的阻力和較大直流電流能力TO-2
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