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國芯思辰|基本半導體碳化硅MOS B1M080120HK助力光伏逆變器升壓電路設計
如下圖為典型的光伏逆變器框圖。該光伏逆變器設計主要由BOOST電路和逆變電路組成。BOOST電路的功率器件通常選擇IGBT單管和SiC二極管搭配使用。為了提高功率密度,需要BOOST開關頻率越高,因為這樣可以降低BOOST電感體積,提高功率密度,由于IGBT的開關頻率受制于開關速度和拖尾電流等因素,其開關頻率一般不**過20kHz,如果開關頻率過高的話,會導致開關損耗太大,發熱量劇增而損壞。因此,要
國芯思辰|可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管:基本半導體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設計
在1KW PFC電源設計中,功率因數校正部分市場上主流的器件方案為Si MOS管:Q1\Q2、續流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成,為后級提供穩定的直流電源。在PFC功率因數校正方面如果對系統效率要求不高的情況下,可使用Si快速恢復二極管(FRD);然而在一些要求效率較高的場合,如5G通信電源,電摩充電器電源中的運用需要較高的效率。本文重點提到國產基本半導體650V/10A碳化硅肖特基二較
國芯思辰|適用于工業智能照明燈方案的鐵電存儲器FRAM:拍字節PB85RS128C
智能照明是指利用物聯網技術、有線、無線技術,結合計算機信息處理,組成的分布式照明控制系統,以實現對照明設備的智能化控制。下圖為智能照明燈的原理框圖,在本方案中,存儲采用拍字節的PB85RS128C,支持SPI和百萬次讀寫周期,-25℃~60℃的工作溫度范圍。PB85RS128C是拍字節的一款容量為128Kb的SPI接口FRAM,該鐵電存儲器用于智能照明燈有如下優勢:1、PB85RS128C支持SP
國芯思辰|基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D10120HC1應用在高效率3.3kW車載充電機方案中
車載充電機,俗稱車載OBC,是指安裝在電動汽車上的充電機,其中OBC全稱為On Board Charger,可實現交流輸入(85VAC~265VAC)/直流輸出(200VDC-400VDC)的功能,其電路的**架構通常由整流、PFC升壓、LLC逆變、輸出整流四部分組成,框圖如圖所示:3.3kW車載充電機框圖通常3.3kW車載充電機輸出整流部分采用硅基技術的器件,工作過程中存在電荷能量的儲存,造成關
公司名: 國芯思辰(深圳)科技有限公司
聯系人: 李子杰
電 話: 15013593818
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地 址: 廣東深圳福田區石廈街道新天世紀商務中心A座2908
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基本半導體碳化硅MOSFET B1M080120HC,替代C2M0080120D,助力光伏逆變器設計
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