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二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性,在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電
可控硅分類(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門較關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓
可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態。此時,如果從控制較G輸入一個正向觸發信號,BG2便有基流ib2流過,經BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基較相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經BG1放大,于是BG1的集
英飛凌IGBT模塊檢測方法 :測試方式:用萬用表只能測量,但不全面,若IGBT損壞一般可以測量出來,但是,若IGBT是好的,它無法肯定是好的。IGBT損壞標準:GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現二極管檔有讀數,即為損壞。(GE表示G接正表筆,E接負表筆;其它類同)IGBT的EC之間接有二極管,所以為導通狀態,電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1
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