英飛凌IGBT模塊

時間：2021-04-16

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
【英飛凌IGBT模塊】IGBT結構
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有
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晶閘管模塊也叫可控硅模塊，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控硅器件，德國西門康可控硅模塊代替一下型號：SKKT15/12(16)E(
整流橋模塊的作用是什么
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