WESTCODE相控可控硅平板形

時間：2020-06-30

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
【可控硅模塊】分類
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor?module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、
晶閘管工作原理
1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態。晶閘管的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應較快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統
英飛凌IGBT模塊檢測方法
英飛凌IGBT模塊檢測方法：測試方式：用萬用表只能測量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測量出來，但是，若IGBT是好的，它無法肯定是好的。IGBT損壞標準：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現二極管檔有讀數，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導通狀態，電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1
【可控硅模塊】可控硅模塊特點
可控硅模塊特點1、整流結構先進采用先進出口變壓器結構設計大大提高了整流效率節約了能源并使整機體積、重量大為減小，可靠性大為提高。2、控制特性良好采用的控制電路與國際主流可控硅控制電路可完全互換，該控制電路它具有自動穩壓/穩流、自動電流密度、0-180秒任意調節軟啟動等良好控制功能，并可通過接口實現計算機控制，是目前先進的可控硅控制系統。工作穩定、抗干擾能力強、穩流/穩壓精度高、使用壽命長。3、工作