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IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
MiniSKiiP產品的設計特點是在負載和門較端子中使用易于裝配且便于維護的彈簧連接。相較于需要昂貴的焊接設備、焊接過程費時的傳統焊接模塊,MiniSKiiP組裝*任何特殊工具,僅使用一到兩個螺絲連接,一步便可組裝好印刷電路板(PCB)、功率模塊和散熱片。圖1:MiniSKiiP裝配示意圖圖2:MiniSKiiP系列封裝MiniSKiiP可以提供電機驅動應用的所有拓撲,如CIB(變流器-逆變器-
1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件較為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態。晶閘管的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應較快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統
在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內,逆變側關短時間采用KK-30微秒以內這也是KP管與KK管的主要區別進口晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件: 1. 晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門較承受和種電壓,晶閘管都處于關短狀態。 2. 晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在
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