【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡(jiǎn)介

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：271

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說明

• 平板式可控硅的制作方法

  **名稱：平板式可控硅的制作方法技術(shù)領(lǐng)域：本實(shí)用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術(shù)：可控硅又稱晶間管，晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長(zhǎng)等諸多優(yōu)點(diǎn)，發(fā)展迅猛。在世紀(jì)應(yīng)用中，大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅，其特點(diǎn)是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結(jié)構(gòu)形式，雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱，但因?yàn)樘沾晒に囈姿椤㈦s質(zhì)難控制等特點(diǎn)，其加工

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡(jiǎn)介

  IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙較型晶體管，是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上

• 保險(xiǎn)絲與熔斷器的區(qū)別

  保險(xiǎn)絲是較簡(jiǎn)單的保護(hù)裝置之一。在農(nóng)村，配電變壓器的高低壓側(cè)設(shè)置熔斷器作為短路保護(hù)，防止短路電流對(duì)變壓器的破壞。此外，各種動(dòng)力照明裝置常采用熔斷器作為短路故障或連續(xù)過載保護(hù)裝置。當(dāng)電流**過較**，熔斷器借助熔體破壞電路。它是一種過負(fù)荷和短路保護(hù)的電器，較大的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、重量輕、使用維護(hù)方便、價(jià)格低廉、可靠性高，具有很大的實(shí)用**和經(jīng)濟(jì)意義。保險(xiǎn)絲是一種簡(jiǎn)單有效的保護(hù)用具，在電路中主要起短

• 進(jìn)口晶閘管工作原理詳解

  進(jìn)口晶閘管工作原理詳解1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡(jiǎn)稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?而且還具有比硅整流元件較為可貴的可控性,它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。晶閘管的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)較快,在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是