SST39VF6401B-70-4C-EKE 39VF6401B FLASH存儲器 全新原裝

時間：2021-08-20作者：深圳市南北行電子發展有限公司瀏覽：113

深圳市南北行電子發展有限公司專注于IC類,阻容類,二三極管類,變壓器類,連接器類,按鍵類,私人訂制BOM配單等

• 詞條

  詞條說明

• GD32F103RCT6 RBT6 RET6 R8T6 C8T6 VCT6 VET6 CBT6 MCU芯片 全新原裝

  GD32F103RCT6 規格信息： 商品類型GigaDevice(兆易創新) I/O 數51 CAN1 Ethernet0 A/D16x12bit EEPROM 尺寸0 D/A2x12bit 工作電壓2.6V ~ 3.6V PWM2 CPU位數32-Bit SPI3 CPU內核ARM? Cortex?-M3 UART/USART5 LCD- 主頻（MAX)108MHz ROM類型FLASH I2

• 供應 2553DRVT-1 絲印CJZ WSON6非反相電源開關芯片 全新進口原裝

  說明 TPS255x和TPS255x-1配電開關可用于需要精確電流限制或遇到重電容負載和短路的應用，并提供高達1.5A的連續負載電流。這些設備通過一個外部電阻器提供了一個在75mA和1.7A（典型的）之間的可編程的電流限制閾值。 在較高的電流限制設置下，可以達到高達±6%的電流限制精度。控制電源開關的升降時間，以減少轉彎和關閉期間的電流激增。 TPS255x設備在輸出負載超過電流限制閾值時，通過使

• 供應 FS8205 GM8205 鋰電池保護IC 貼片TSSOP-8 全新原裝

  深圳市南北行電子發展有限公司 GM8205A 雙N通道高密度溝槽MOSFET（20V、6.0A） 產品摘要VDSSIDRDS(on)(m-歐姆)最大28@VGS=4.0V，ID=6.0A20V6.0A40@VGS=2.5V，ID=5.2A 特點先進的溝工藝技術高密度電池設計超低電阻鉛免費產品獲得表面安裝包 絕對最大額定功率（TA=25oC，除非另有說明）符號參數額定功率單元VDS排水源電壓20VV

• 全新原裝 AT24C16A-10TU-1.8 絲印AT16A TSSOP8 讀存儲器

  描述FT24C04A/08A/16A系列是4096/8192/16384位的串行電氣可擦除和可編程只讀存儲器，通常稱為EEPROM。 它們被組織為512/1024/2048個單詞，每個單詞為8位（1字節）。該設備采用專有的先進CMOS工藝制造，用于低功率和低壓應用。 這些設備可提供標準的8鉛DIP、8鉛SOP、8鉛TSSOP、8鉛DFN、8鉛MSOP和5鉛SOT-23/TSOT-23包裝。 一個標