原裝 SN74HC574DWR 74HC574NSR 74HC574PWR SN74HC574N 邏輯芯片

時(shí)間：2021-06-25作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：3504

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 全新原裝 芯片 AME8822AEEV330Z 貼片SOT23-5 集成電路 IC

  一般說(shuō)明 AME8822正線性調(diào)節(jié)因子家族具有低靜止電流(30mA類(lèi)型)。低輟學(xué)電壓和優(yōu)良的PSRR，從而使他們成為理想的電信和其他電池應(yīng)用。 這些堅(jiān)固的設(shè)備有熱關(guān)閉和電流限制，以防止設(shè)備在“最壞”操作條件下發(fā)生故障。AME8822保持穩(wěn)定，輸出電容為1mF或更大。 l非常低的壓降電壓 l快速開(kāi)啟時(shí)間100mS（典型） l保證250毫安輸出 l 30mA靜態(tài)電流 超溫停機(jī) l良好的PSRR（典型

• STM8S003F3P6/STM8S103F3P6/STM8S103K3T6C 芯片8位微控制器

  描述 STM8S003F3/K3值線8位微控制器提供8kbytes閃存程序存儲(chǔ)器，以及集成的真數(shù)據(jù)EEPROM。在STM8S微控制器系列參考手冊(cè)（RM0016）中，它們被稱(chēng)為低密度設(shè)備。STM8S003F3/K3值線設(shè)備具有以下優(yōu)點(diǎn)：性能、健壯性和降低系統(tǒng)成本。 設(shè)備性能和健壯性由支持多達(dá)100000次寫(xiě)入/擦除周期的真實(shí)數(shù)據(jù)EEPROM、采用16 MHz時(shí)鐘頻率的最新技術(shù)制造的高級(jí)內(nèi)核和外圍設(shè)備

• 供應(yīng) STM32L071RBH6 ST/意法 單片機(jī)

  接入線超低功率STM32L071xx微控制器包括高性能臂皮層-M0+32位RISC核心運(yùn)行在32MHz頻率、內(nèi)存保護(hù)單元(MPU)、高速嵌入式內(nèi)存(高達(dá)192Kb節(jié)的閃存程序內(nèi)存、6k字節(jié)的數(shù)據(jù)EEPROM和20Kb節(jié)的內(nèi)存)以及廣泛的增強(qiáng)I/O和外圍設(shè)備。 STM32L071xx設(shè)備為廣泛的性能提供高功率效率。它是通過(guò)大量的內(nèi)部和外部時(shí)鐘源，內(nèi)部電壓適應(yīng)和幾種低功率模式。 STM32L071xx

• SST39VF6401B-70-4C-EKE 39VF6401B FLASH存儲(chǔ)器 全新原裝

  SST39VF640xB設(shè)備是4Mx16CMOS多功能閃存+(MPF+)，采用SST專(zhuān)有的高性能CMOSSuperFlash技術(shù)制造。與替代方法相比，裂柵單元設(shè)計(jì)和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF6.6V電源的640xB寫(xiě)入（程序或擦除）。這些設(shè)備符合對(duì)x16存儲(chǔ)器的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)針腳分配。 SST39VF640xB設(shè)備具有高性能的字程序，提供了典型的字程序時(shí)間為7μs