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**名稱:平板式可控硅的制作方法技術領域:本實用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術:可控硅又稱晶間管,晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優(yōu)點,發(fā)展迅猛。在世紀應用中,大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅,其特點是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結構形式,雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱,但因為陶瓷工藝易碎、雜質難控制等特點,其加工
可控硅工作原理結構原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現(xiàn)交流電的無觸點控制,以小電流控制大電流,具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優(yōu)點。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個電
熔斷器保險絲你了解嗎熔斷器又稱為保險絲,是用于保護電路的安全設備。它們安裝于各種供電設和負載之間,電流過高時便會觸發(fā)熔斷器工作(俗稱“燒斷”),把負載從電源中斷開,減低過流造成設備損壞甚至引起火災的風險。燒斷了的保險絲必須棄置并替換,這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復位的。不過保險絲價格便宜,而且容易替換。新的保險絲應該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險絲提供的安全機制使得它們成
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構, N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源較(即**較E)。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有
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