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測試可控硅模塊的升溫3個方法可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。1、可控硅模塊環境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環
WESTCODE相控可控硅平板形IXYS UK Westcode ltd 西碼提供行業內較全面的標準相位控制晶閘管(相控可控硅)。電壓范圍從600V到4500V的設備是可用的,使它們適用于電壓從230V到1000V以上的線路(我們的中壓晶閘管現在提供較高的電壓應用)。IXYS UK Westcode ltd是一家良好的相位控制產品供應商,產品涉及工業直流驅動器、感應熔煉、船舶/鐵路推進系統、風力發
工欲善其事,必先利其器 -- 新版SemiSel V5 功率半導體選型工具
效率較高、設計較緊湊、功率密度較高,同時確保盡快上市、滿足目標成本?……以上列舉的要求不過是電力電子開發人員所面臨的眾多挑戰的一部分。開發人員需要在變化多樣的產品市場中選擇合適的器件,SemiSel應運而生。這一款高效的選型工具可以幫助產品開發人員在選型時做出正確的選擇。SemiSel迄今仍是同類工具中較全面的免費工具,可以用于研究不同運行條件下的各種電力電子電路。在用戶友好性、功能復雜
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級1200V,電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結溫的特點,可以達到175℃。為了充分發揮其高工作結溫特點,新一代PrimePACK?2封裝結合較新的.XT技術和新的設計方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅動對
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
聯系人: 林女士
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