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詞條說明
可控硅的工作原理和主要作用一、可控硅的工作原理為:1、要使晶閘管導通,一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制較G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通后,松開按鈕開關,去掉觸發電壓,仍然維持導通狀態。2、但是,如果陽極或控制較外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通。控制較的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通,卻不能使它關斷。使導通的晶閘管關斷,可以斷開陽極電源(圖3中的開關
IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值,可以判別出二極管的電極,還可估測出二極管是否損壞。1.極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔,兩表筆分別接二極管的兩個電極,測出一個結果后,對調兩表筆,再測出一個結果。兩次測量的結果中,有一次測量出的阻值較大(為反向電阻),一次測量出的阻值較小(為正向電阻)。在阻值較小的一次測量中,黑表筆接的是二極管的正極,紅表筆接的是二極管的負極。2.單負導電性能
進口晶閘管工作原理詳解1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件較為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態。晶閘管的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應較快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是
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