按此操作穩(wěn)壓器保穩(wěn)壓器運(yùn)轉(zhuǎn)無(wú)故障

時(shí)間：2020-01-05作者：武漢翔雷電子有限公司瀏覽：926

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 調(diào)節(jié)正向電流無(wú)法得到精確調(diào)光

  降壓型恒流源的效率和降壓比的關(guān)系 輸入電壓為35V，輸出電流為2A，當(dāng)輸出電壓為30V時(shí)，效率可以高達(dá)97.8%。但是當(dāng)輸出電壓降低到20V時(shí)，效率就降為96%；當(dāng)輸出電壓降低為10V時(shí)，效率就降低為92%。在這三種情況下，盡管其輸出功率依次為60W，40W和20W，但是其損耗功率卻依次為 1.2W，1.6W，1.6W。后兩種情況下功耗增大了33%。假如恒流模塊的散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)得非常臨界，增加33%

• 開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展方向

  ?開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展方向 開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展方向是高頻、高**、低耗、低噪聲、抗干擾和模塊化。由于開(kāi)關(guān)電源輕、小、薄的關(guān)鍵技術(shù)是高頻化，因此國(guó)外各大開(kāi)關(guān)電源制造商都致力于同步開(kāi)發(fā)新型高智能化的元器件，特別是改善二次整流器件的損耗，并在功率鐵氧體（MnZn)材料上加大科技**，以提高在高頻率和較大磁通密度（Bs)下獲得高的磁性能，而電容器的小型化也是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。 高頻化使開(kāi)關(guān)電源小型化，并

• 功率半導(dǎo)體器件性能

  焦點(diǎn)一：功率半導(dǎo)體器件性能 1998年，Infineon公司推出冷MOS管，它采用“**級(jí)結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu)，故又稱(chēng)**結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個(gè)數(shù)量級(jí)，仍保持開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體器件。 IGBT剛出現(xiàn)時(shí)，電壓、電流額定值只有600V、2**。很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間

• 直流電源在通信系統(tǒng)中也稱(chēng)二次直流電源

  (3)、模塊直流電源 隨著科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展,對(duì)直流電源**性、容量/體積比要求越來(lái)越高,模塊直流電源越來(lái)越顯示其優(yōu)越性,它工作頻率高、體積小、**性高,便于安裝和組合擴(kuò)容,所以越來(lái)越被廣泛采用。目前,目前國(guó)內(nèi)雖有相應(yīng)模塊生產(chǎn),但因生產(chǎn)工藝未能趕上**水平,故障率較高。 (4)、AC/DC?直流電源 該類(lèi)直流電源也稱(chēng)一次直流電源,它自電網(wǎng)**能量,經(jīng)過(guò)高壓整流濾波得到一個(gè)直流高壓,供DC/