KRI 離子源用于UVC人機(jī)共存紫外濾光片鍍膜

時(shí)間：2024-01-10作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：64

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  詞條說明

• KRI 霍爾離子源應(yīng)用于黑膜鍍制

  ? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠(yuǎn)紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術(shù).?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應(yīng)用前景.?如可在精密光學(xué)儀器和光學(xué)零件、醫(yī)療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產(chǎn)品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產(chǎn)

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過

• 殘余氣體分析儀應(yīng)用于高溫真空爐, 實(shí)現(xiàn)質(zhì)量保證和過程優(yōu)化

  殘余氣體分析儀應(yīng)用于高溫真空爐, 實(shí)現(xiàn)質(zhì)量保證和過程優(yōu)化上海伯東某客戶生產(chǎn)研發(fā) X 射線管及組件, 使用德國 Pfeiffer?Hicube RGA 殘余氣體分析儀與高溫真空爐連接, 測試產(chǎn)品在不同溫度下?lián)]發(fā)的產(chǎn)物變化, 進(jìn)一步分析產(chǎn)品的耐用性以及使用形態(tài). 實(shí)現(xiàn)真空過程相關(guān)的質(zhì)量控制, 滿足 X 射線管工藝要求.殘余氣體分析儀質(zhì)量保證和過程優(yōu)化諸如提供氣體成分定量測定, 確定過程氣體純

• 美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用

  上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo