*十七屆全國MOCVD學術會議與您太原相見！

時間：2022-08-05

作者：鵬城半導體技術（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
化學氣相沉積設備（CVD）-小型管式LPCVD設備
LPECVD是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。小型管式LPCVD設備設備結構及特點1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。基片形狀類型：不規則形狀的散片、φ2～4
第四屆全球半導體產業（重慶）博覽會圓滿落幕
6月29日至7月1日，*四屆**半導體產業與電子技術（重慶）博覽會（以下簡稱“博覽會”）在重慶**博覽中心圓滿落幕。博覽會聚焦“集成電路設計制造、封裝測試、半導體材料、AI+IOT+5G、智慧電源、生產設備、電子元器件、電子智能制造、智慧工廠、測試測量、連接器及線束加工”等重點領域，涵蓋展覽展示、*發布、**論壇、技術研討、招商推介等多維度活動內容，發布推廣新產品、*技術成果和優秀解決方案，搭
創芯未來鵬城半導體亮相第四屆全球半導體產業博覽會（重慶）
6月帶著憧憬與期待，在重慶這片沃土上與我們相遇，未來，初心依舊。*四屆**半導體產業（重慶）博覽會（簡稱“GSIE 2022”），將于2022年6月29日-7月1日在重慶**博覽中心舉辦。鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱“鵬城半導體”）本次攜多功能磁控濺射儀解決方案、分子束外延薄膜生長設備（MBE）解決方案、熱絲CVD金剛石解決方案等多個解決方案亮相本次展會。一起來先讀為快吧。多功能磁控濺射儀
新聞快訊-鵬城半導體MOCVD設備
材料的輸運采取了**純的氣路系統，源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術。由于組合閥具有較小的死空間，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料。采用壓差控制技術控制組合閥的旁路和主路之間的壓力，大大降低了源的壓力和濃度波動，有利于材料生長的重復性和穩定性。采用了管道鑲嵌式進氣噴頭，使反應源在襯底表面均勻混合并反應，大大降低了預反應的發生。采用電阻式快速升降溫加熱爐。