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IGBT的工作原理IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術
電力電子變頻器是將交流電源轉換為可調頻率和可調幅度的交流電源的裝置。使用富士IGBT作為電力電子變頻器的主要功率開關器件具有以下作用:高效能轉換:富士IGBT具有低導通壓降和低開關損耗的特性,能夠實現高效率的轉換,從而提高電力電子變頻器的效率。這有助于減少能源消耗和發熱,并降低系統運行成本。高頻操作:電力電子變頻器通常需要在高頻范圍進行操作,而富士IGBT具有快速的開關速度和較高的工作頻率,可以滿
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優
西門子觸摸屏的工作原理可以簡述如下:?西門子觸摸屏采用電容式觸摸技術,其工作原理基于電容傳感器。觸摸屏表面覆蓋了一層透明的導電材料,例如玻璃或塑料,并涂有一層導電涂層。當用戶用手指或觸摸筆觸摸屏表面時,電容傳感器會感知到接觸點并測量電容變化。?電容式觸摸屏通過在觸摸屏面板兩個坐標軸上分布的一系列傳感器陣列來獲取觸摸位置。這些傳感器以周期性方式發送電荷到觸摸屏表面,形成電場。當用
公司名: 深圳市寶安區誠芯源電子商行
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