雙工位臥式真空爐

時間：2014-10-22作者：青島福潤德微電子設(shè)備有限公司瀏覽：90

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  詞條說明

• LPCVD設(shè)備

  LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用 低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護(hù)技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優(yōu)點，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問題，提

• 等離子增強化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)

  ? 等離子增強化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) PECVD（等離子增強化學(xué)氣相淀積）設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的**設(shè)備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調(diào))，特別適用于半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。 產(chǎn)品特點： 1、膜質(zhì)量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機(jī)（易漏大氣而

• 立式真空爐

  空爐（vacuum furnace）是真空環(huán)境中進(jìn)行加熱的設(shè)備。在金屬罩殼或石英玻璃罩密封的爐膛中用管道與高真空泵系統(tǒng)聯(lián)接。爐膛真空度可達(dá)133×(10-2～10-4)h。爐內(nèi)加熱系統(tǒng)可直接用電阻爐絲(如鎢絲)通電加熱，也可用高頻感應(yīng)加熱。較高溫度可達(dá)3000℃左右。主要用于陶瓷燒成、真空冶煉、電真空零件除氣、退火、金屬件的釬焊，以及陶瓷-金屬封接等。 目 錄 1概述 2構(gòu)造 3原理 4功能 5

• 擴(kuò)散爐

  擴(kuò)散爐由控制系統(tǒng)、進(jìn)出舟系統(tǒng)、爐體加熱系統(tǒng)和氣體控制系統(tǒng)等組成。 控制系統(tǒng) 控制部分包括：溫控器、功率部件、**溫保護(hù)部件、系統(tǒng)控制。 系統(tǒng)控制部分有四個獨立的計算機(jī)控制單元，分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分，是擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)的控制中心。 擴(kuò)散爐網(wǎng)絡(luò)控制 輔助控制系統(tǒng)，包括推舟控制裝置、保護(hù)電路、電路轉(zhuǎn)接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風(fēng)開關(guān)等。 較**的擴(kuò)散爐控制系統(tǒng)均已較新或升級到微