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LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用 低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量,使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優(yōu)點,成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問題,提
太陽能電池擴散工藝及其設(shè)備 太陽能電池擴散工藝及其設(shè)備 ????技術(shù)方案是:一種太陽能電池擴散工藝,在太陽能電池擴散工藝中通控制抽氣排風壓力,使抽氣排風壓力這個參數(shù)保持穩(wěn)定,抽氣排風壓力這個參數(shù)保持穩(wěn)定,抽氣排風壓力的穩(wěn)定導(dǎo)致辭磷在硅片中的注入濃度穩(wěn)定,使加工后得到的硅片的方塊電池保持穩(wěn)定,在后道的燒結(jié)中可以匹配出高效的太陽能電池。抽氣排風壓力通過在機臺排
等離子增強化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)
? 等離子增強化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) PECVD(等離子增強化學(xué)氣相淀積)設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的**設(shè)備。淀積溫度范圍寬( 100~600oC可調(diào)),特別適用于半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化,用以提高器件和集成電路可靠性。目前,它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。 產(chǎn)品特點: 1、膜質(zhì)量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機(易漏大氣而
?單管氧化爐技術(shù)方案 ? ????????????? (單管程序氧化爐) ? ?????????????&n
公司名: 青島福潤德微電子設(shè)備有限公司
聯(lián)系人: 顏
電 話: 0532-68017157
手 機: 13658669338
微 信: 13658669338
地 址: 山東青島城陽區(qū)青島市城陽區(qū)北萬工業(yè)園
郵 編: 266000
網(wǎng) 址: qdfrdwdz.cn.b2b168.com
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