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詞條說明
可控硅特性常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等??煽毓璧闹饕獏?shù)有:1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制較開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未**過導(dǎo)能電壓時,可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?,不能**
IGBT檢測判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時,若某一較與其它兩較阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該較與其它兩較的阻值仍為無窮大,則判斷此較為柵較(G )其余兩較再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為**較(E)。判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGB
可控硅結(jié)構(gòu)大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個電極〔圖2(a)〕:**層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,*三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制較G,*四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個控制較G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1(T1),*二陽極A2(T2)、控制較G三個引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰
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